Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 390–394
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45627.8725
(Mi phts5903)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей

А. В. Андрееваa, Н. Ю. Давидюкb, Д. А. Малевскийa, А. Н. Паньчакa, Н. А. Садчиковa, А. В. Чекалинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Приведены результаты исследований влияния различных условий отвода тепла на нагрев и распределение температур в элементах концентраторных фотоэлектрических модулей. Были исследованы модули, выполненные на основе линз Френеля и трехкаскадных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) InGaP/GaAs/Ge, установленных на теплосбрасывающие платы, выполненные из меди и стали. Для определения тепловых характеристик использовалась методика, позволяющая измерять температуру $p$$n$-переходов ФЭП в лабораторных условиях при имитации тепловых процессов, возникающих при работе модуля в натурных условиях. В дальнейшем по этой температуре рассчитывалась величина теплового сопротивления системы “ФЭП-окружающая среда”. Имитация тепловых процессов в модуле осуществлялась за счeт пропускания тока через ФЭП в прямом направлении. Величина разогрева ФЭП определялась путем сопоставления значений прямого падения напряжений, измеренных за время его быстрого включения или выключения при различных условиях отвода тепла. Изменение условий теплоотвода обеспечивалось при помощи генератора воздушного потока.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-30035
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект № 17-79-30035).
Поступила в редакцию: 12.09.2017
Принята в печать: 26.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 371–375
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 390–394; Semiconductors, 52:3 (2018), 371–375
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndDavMal18}
\by А.~В.~Андреева, Н.~Ю.~Давидюк, Д.~А.~Малевский, А.~Н.~Паньчак, Н.~А.~Садчиков, А.~В.~Чекалин
\paper Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 390--394
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5903}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45627.8725}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739694}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 371--375
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5903
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p390
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024