|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований полупроводниковых фотопреобразователей лазерного излучения на основе AlGaAs/GaAs при величине облученности до 9 kW/cm$^{2}$ с сохранением изотермического состояния тестируемых образцов. Это подтверждается логарифмическим ходом регистрируемых зависимостей напряжения холостого хода от плотности мощности подводимого излучения. При максимальной облученности достигнуты значения напряжения холостого хода, близкие к 1.33 V. Показана возможность преобразования лазерного излучения (длина волны 840 nm) с КПД более 51% при плотности мощности 2.5 kW/cm$^{2}$.
Поступила в редакцию: 06.08.2018
Образец цитирования:
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5563 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i2/p26
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 7 |
|