|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, “Система локализованных экситонов на кислородных комплексах в CdS”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1068–1076 |
2. |
В. И. Олешко, С. С. Вильчинская, Н. К. Морозова, “Особенности спектров люминесценции ZnSе $\cdot$ О с привлечением теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 403–409 ; V. I. Oleshko, S. S. Vil'chinskaya, N. K. Morozova, “Emission spectra peculiarities of ZnSе $\cdot$ О crystals in the band anticrossing theory context”, Semiconductors, 55:5 (2021), 511–517 |
3
|
|
2020 |
3. |
Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, “Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 59–64 ; N. K. Morozova, I. N. Miroshnikova, “Anomalous edge emission from zinc selenide heavily doped with oxygen”, Semiconductors, 54:1 (2020), 102–107 |
6
|
|
2019 |
4. |
Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 793–798 ; N. K. Morozova, I. N. Miroshnikova, V. G. Galstyan, “Analysis of the optical properties of plastically deformed ZnS(O) using band-anticrossing theory”, Semiconductors, 53:6 (2019), 784–788 |
5
|
|
2018 |
5. |
Н. К. Морозова, Б. Н. Мирошников, “Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 295–298 ; N. K. Morozova, B. N. Miroshnikov, “Isoelectronic oxygen centers and conductivity of CdS crystals compared with PbS crystals”, Semiconductors, 52:3 (2018), 278–281 |
5
|
|
2016 |
6. |
Н. К. Морозова, А. А. Канахин, А. С. Шнитников, “Растворимость кислорода в монокристаллах CdS и их физико-химические свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 865–868 ; N. K. Morozova, A. A. Kanakhin, A. S. Shnitnikov, “Solubility of oxygen in CdS single crystals and their physicochemical properties”, Semiconductors, 50:7 (2016), 849–852 |
3
|
|