Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 6, страницы 793–798
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47731.8948
(Mi phts5485)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон

Н. К. Морозоваa, И. Н. Мирошниковаab, В. Г. Галстянc

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
c Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
Аннотация: В свете теории антипересекающихся зон изучены катодолюминесценция и поглощение пластически деформированных монокристаллов ZnS(O). В растровом электронном микроскопе и по данным катодолюминесценции обнаружена разница в содержании кислорода в поверхностном слое и в объеме образцов. Это объясняет специфику спектрального положения края фундаментального поглощения и экситонных спектров. Представлено в динамике смещение полос самоактивированного свечения на глубоких $A$-центрах (SA-свечения) в процессе деформационной перекристаллизации при увеличении концентрации растворенного кислорода. Установлено ограничение спектрального диапазона возникновения самоактивированного свечения на мелких уровнях – “краевого” свечения. Выяснена природа полос излучения в диапазоне длин волн 336–350 и 364–390 нм. Полученные результаты уточняют энергетическую модель ZnS(O) и могут быть полезны в случае практического использования их структурно-чувствительных свойств.
Поступила в редакцию: 02.07.2018
Исправленный вариант: 25.12.2018
Принята в печать: 28.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 6, Pages 784–788
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619060125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 793–798; Semiconductors, 53:6 (2019), 784–788
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorMirGal19}
\by Н.~К.~Морозова, И.~Н.~Мирошникова, В.~Г.~Галстян
\paper Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 793--798
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5485}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.06.47731.8948}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133292}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 6
\pages 784--788
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619060125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5485
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p793
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024