|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон
Н. К. Морозоваa, И. Н. Мирошниковаab, В. Г. Галстянc a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
c Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
Аннотация:
В свете теории антипересекающихся зон изучены катодолюминесценция и поглощение пластически деформированных монокристаллов ZnS(O). В растровом электронном микроскопе и по данным катодолюминесценции обнаружена разница в содержании кислорода в поверхностном слое и в объеме образцов. Это объясняет специфику спектрального положения края фундаментального поглощения и экситонных спектров. Представлено в динамике смещение полос самоактивированного свечения на глубоких $A$-центрах (SA-свечения) в процессе деформационной перекристаллизации при увеличении концентрации растворенного кислорода. Установлено ограничение спектрального диапазона возникновения самоактивированного свечения на мелких уровнях – “краевого” свечения. Выяснена природа полос излучения в диапазоне длин волн 336–350 и 364–390 нм. Полученные результаты уточняют энергетическую модель ZnS(O) и могут быть полезны в случае практического использования их структурно-чувствительных свойств.
Поступила в редакцию: 02.07.2018 Исправленный вариант: 25.12.2018 Принята в печать: 28.12.2018
Образец цитирования:
Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Анализ оптических свойств пластически деформированного ZnS(O) с привлечением теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 793–798; Semiconductors, 53:6 (2019), 784–788
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5485 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i6/p793
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 26 | PDF полного текста: | 6 |
|