Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 59–64
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48775.9136 (Mi phts5307) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом

Н. К. Морозоваa, И. Н. Мирошниковаab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
PDF полного текста (163 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48775.9136
Аннотация: Изучены особенности спектров излучения чистых CVD конденсатов ZnSe, выращенных при избытке селена и сильном легировании кислородом. Исследовано превалирующее в спектрах низкотемпературной катодолюминесценции ZnSe (O) аномальное краевое свечение 477(490) нм с целью выяснения его природы. Установлена связь этого свечения со стехиометрическим составом ZnSe и концентрацией растворенного кислорода. Получены данные, свидетельствующие о роли примеси меди. На основе теории антипересекающихся зон представлена зонная модель, объясняющая природу основных полос люминесценции ZnSe (O) и ZnSe (O, Cu) в прикраевой области спектра. Показано, что модель ZnSe (O) аналогична усиановленной ранее для ZnS (O) и CdS (O).
Ключевые слова: самоактивированный, стехиометрический, точечные дефекты,изоэлектронные центры, комплексы.
Поступила в редакцию: 11.04.2019
Исправленный вариант: 22.04.2019
Принята в печать: 02.08.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 102–107
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, И. Н. Мирошникова, “Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 59–64; Semiconductors, 54:1 (2020), 102–107
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorMir20}
\by Н.~К.~Морозова, И.~Н.~Мирошникова
\paper Аномальное краевое свечение ZnSe, сильно легированного кислородом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 59--64
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5307}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48775.9136}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571071}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 102--107
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010169}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5307
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p59
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024