Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 865–868 (Mi phts6404)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Растворимость кислорода в монокристаллах CdS и их физико-химические свойства

Н. К. Морозова, А. А. Канахин, А. С. Шнитников

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
PDF полного текста (224 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Рассматривается специфика растворения кислорода в CdS на примере монокристаллов, выращенных методом газового транспорта с отклонениями от стехиометрии при 1100$^\circ$C. Дан анализ влияния различного типа собственных точечных дефектов в кристаллах разного состава на формы присутствия кислорода. Показано, что термодинамически наиболее устойчивым является состав нестехиометрического “самоактивированного сульфида кадмия”, стабилизированного кислородом.
Поступила в редакцию: 12.11.2015
Принята в печать: 21.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 849–852
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070174
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, А. А. Канахин, А. С. Шнитников, “Растворимость кислорода в монокристаллах CdS и их физико-химические свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 865–868; Semiconductors, 50:7 (2016), 849–852
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorKanShn16}
\by Н.~К.~Морозова, А.~А.~Канахин, А.~С.~Шнитников
\paper Растворимость кислорода в монокристаллах CdS и их физико-химические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 865--868
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6404}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368927}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 849--852
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070174}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6404
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p865
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024