|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
Н. К. Морозоваab, Б. Н. Мирошниковab a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
Аннотация:
Влияние кислорода на электрические свойства PbS широко известно. Целью данной работы было сопоставление и обнаружение этого явления в монокристаллах CdS(О), детально исследованных нами ранее. Эксперименты проведены на монокристаллах CdS с известной концентрацией кислорода, отклонением от стехиометрии и определенным набором собственных точечных дефектов. Они позволили подтвердить результаты, описанные для PbS, и выяснить их природу. Показано, что в основе явления лежит захват свободных носителей – электронов на акцептороподобных изоэлектронных центрах O$_{S}$ с последующим образованием ассоциатов сложной структуры. Подтверждены предшествующие выводы о механизме растворения кислорода в CdS с отклонениями от стехиометрии. Изменения электрических свойств в активированном кислородом PbS(О), как и в CdS(О), показали, что изоэлектронные кислородные центры O$_{S}$ присутствуют в сульфиде свинца.
Поступила в редакцию: 21.12.2016 Принята в печать: 26.12.2016
Образец цитирования:
Н. К. Морозова, Б. Н. Мирошников, “Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 295–298; Semiconductors, 52:3 (2018), 278–281
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5887 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p295
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 16 |
|