Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 295–298
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45611.8493
(Mi phts5887)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS

Н. К. Морозоваab, Б. Н. Мирошниковab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
Аннотация: Влияние кислорода на электрические свойства PbS широко известно. Целью данной работы было сопоставление и обнаружение этого явления в монокристаллах CdS(О), детально исследованных нами ранее. Эксперименты проведены на монокристаллах CdS с известной концентрацией кислорода, отклонением от стехиометрии и определенным набором собственных точечных дефектов. Они позволили подтвердить результаты, описанные для PbS, и выяснить их природу. Показано, что в основе явления лежит захват свободных носителей – электронов на акцептороподобных изоэлектронных центрах O$_{S}$ с последующим образованием ассоциатов сложной структуры. Подтверждены предшествующие выводы о механизме растворения кислорода в CdS с отклонениями от стехиометрии. Изменения электрических свойств в активированном кислородом PbS(О), как и в CdS(О), показали, что изоэлектронные кислородные центры O$_{S}$ присутствуют в сульфиде свинца.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00417-а
Работа проводилась при поддержке гранта РФФИ № 16-07-00417-а.
Поступила в редакцию: 21.12.2016
Принята в печать: 26.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 278–281
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261803017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, Б. Н. Мирошников, “Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 295–298; Semiconductors, 52:3 (2018), 278–281
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorMir18}
\by Н.~К.~Морозова, Б.~Н.~Мирошников
\paper Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 295--298
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5887}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45611.8493}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739678}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 278--281
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261803017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5887
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p295
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024