|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687   |
| 2. |
А. А. Семакова, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 502–506 ; A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 |
| 3. |
А. А. Семакова, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 277–281 ; A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 |
2
|
|
2020 |
| 4. |
А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54 ; A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 450–455 ; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Semakova, G. G. Zegrya, “Carrier lifetime in semiconductors with band-gap widths close to the spin-orbit splitting energies”, Semiconductors, 53:4 (2019), 428–433 |
2
|
|
2017 |
| 6. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
Обратная связь: