Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 3, страницы 51–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.03.48994.17987 (Mi pjtf5203) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs

А. А. Семаковаab, С. Н. Липницкаяb, К. Д. Мынбаевa, Н. Л. Баженовa, С. С. Кижаевc, А. В. Черняевacd, Н. Д. Стояновc, H. Lipsanenbe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c ООО "Микросенсор Технолоджи", г. Санкт-Петербург
d Военная академия связи им. С. М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
e Aalto University, Aalto, Finland
PDF полного текста (123 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.03.48994.17987
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования, расчеты с использованием пакета MATLAB и моделирование в среде COMSOL Multiphysics cпектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs, излучающих в среднем инфракрасном диапазоне. Путем сопоставления результатов экспериментов, расчетов и моделирования построена картина формирования спектров излучения гетероструктур. Полученные результаты подтверждают перспективы использования моделирования при конструировании светодиодных структур.
Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, арсенид индия, электролюминесценция.
Поступила в редакцию: 18.07.2019
Исправленный вариант: 18.07.2019
Принята в печать: 08.11.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 2, Pages 150–153
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020020121
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54; Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SemLipMyn20}
\by А.~А.~Семакова, С.~Н.~Липницкая, К.~Д.~Мынбаев, Н.~Л.~Баженов, С.~С.~Кижаев, А.~В.~Черняев, Н.~Д.~Стоянов, H.~Lipsanen
\paper Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 3
\pages 51--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5203}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.03.48994.17987}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776909}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 150--153
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020020121}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5203
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i3/p51
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024