Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 4, страницы 450–455
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47437.9004 (Mi phts5531) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления

Н. Л. Баженовa, К. Д. Мынбаевab, А. А. Семаковаb, Г. Г. Зегряa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (147 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47437.9004
Аннотация: Получены выражения для скорости оже- и излучательной рекомбинации в рамках модели Кейна в материалах с шириной запрещенной зоны, близкой к энергии спин-орбитального расщепления, что имеет место в InAs, твердых растворах InAsSb и т. д. Проведено сравнение наших результатов с упрощенными выражениями для скоростей рекомбинации, часто используемыми в литературе, и показано, что при вычислении скоростей рекомбинации необходимо учитывать непараболичность энергетического спектра носителей заряда. Для примера вычислен температурный ход времени жизни, обусловленного излучательным и безызлучательными процессами рекомбинации, для твердых растворов InAsSb.
Поступила в редакцию: 13.11.2018
Исправленный вариант: 19.11.2018
Принята в печать: 19.11.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 4, Pages 428–433
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619040043
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 450–455; Semiconductors, 53:4 (2019), 428–433
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BazMynSem19}
\by Н.~Л.~Баженов, К.~Д.~Мынбаев, А.~А.~Семакова, Г.~Г.~Зегря
\paper Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 450--455
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5531}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.04.47437.9004}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644611}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 4
\pages 428--433
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619040043}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5531
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i4/p450
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024