Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Баграев Николай Теймуразович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 49
Научных статей: 49

Статистика просмотров:
Эта страница:162
Страницы публикаций:2630
Полные тексты:1415
доктор физико-математических наук (1986)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
Дата рождения: 3.04.1952
E-mail:
Сайт: http://raen-spb.ru/Баграев

Научная биография:

Баграев, Николай Таймуразович. Электронно-ядерные взаимодействия в легированном кремнии при оптической накачке : диссертация … кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1978. - 169 с. : ил.

Баграев, Николай Таймуразович. Оптическая поляризация ядерных моментов в легированных кристаллах : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07 / Физико-техн. ин-т. - Ленинград, 1986. - 347 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person160167
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202  mathnet  elib 2
2. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033  mathnet  elib 3
3. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111  mathnet  elib; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 13
2020
4. Н. Т. Баграев, П. А. Головин, Л. Е. Клячкин, А. М. Mаляренко, А. П. Преснухина, Н. И. Руль, А. С. Реуков, В. С. Хромов, “Источники и приемники терагерцевого излучения на основе микрорезонаторов, встроенных в краевые каналы кремниевых наносандвичей”, ЖТФ, 90:10 (2020),  1663–1671  mathnet  elib; N. T. Bagraev, P. A. Golovin, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. P. Presnukhina, N. I. Rul', A. S. Reukov, V. S. Khromov, “Terahertz radiation sources and detectors based on optical microcavities embedded in the edge channels of silicon nanosandwiches”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1591–1599 1
5. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, К. Б. Таранец, “Терагерцевый отклик от биоткани как основа диагностики и лечения в персонифицированной медицине”, ЖТФ, 90:9 (2020),  1502–1505  mathnet
6. В. В. Романов, В. А. Кожевников, В. А. Машков, Н. Т. Баграев, “Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1331–1335  mathnet  elib; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, V. A. Mashkov, N. T. Bagraev, “Description of the magnetization oscillations of a silicon nanostructure in weak fields at room temperature. the Lifshitz–Kosevich formula with variable effective carrier mass”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1593–1597 2
2019
7. В. В. Романов, В. А. Кожевников, Н. Т. Баграев, “Термодинамическое описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Плотность состояний”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1651–1654  mathnet  elib; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, N. T. Bagraev, “Thermodynamic description of oscillations of the magnetization of a silicon nanostructure in weak fields at room temperature. Density of states”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1633–1636 1
8. В. В. Романов, В. А. Кожевников, C. T. Tracey, Н. Т. Баграев, “Осцилляции де Гааза–ван Альфена в кремниевой наноструктуре в слабых магнитных полях при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1647–1650  mathnet  elib; V. V. Romanov, V. A. Kozhevnikov, C. T. Tracey, N. T. Bagraev, “De Haas–van Alphen oscillations of the silicon nanostructure in weak magnetic fields at room temperature. Density of states”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1629–1632 7
2018
9. Maxim A. Fomin, Andrey L. Chernev, Nicolay T. Bagraev, Leonid E. Klyachkin, Anton K. Emelyanov, Michael V. Dubina, “Dielectric properties of oligonucleotides on the surface of Si nanosandwich structures”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  512  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 612–614
10. N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, V. S. Khromov, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, T. V. Matveev, V. V. Romanov, N. I. Rul, K. B. Taranets, “High temperature quantum kinetic effects in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  473  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 478–484 2
2016
11. Д. А. Курдюков, А. Б. Певцов, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, В. Ю. Григорьев, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, В. Г. Голубев, “Получение трехмерных ансамблей магнитных кластеров NiO, Co$_{3}$O$_{4}$ и NiCo$_{2}$O$_{4}$ матричным методом”, Физика твердого тела, 58:6 (2016),  1176–1181  mathnet  elib; D. A. Kurdyukov, A. B. Pevtsov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, V. Yu. Grigoryev, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, V. G. Golubev, “Formation of three-dimensional arrays of magnetic clusters NiO, Co$_{3}$O$_{4}$, and NiCo$_{2}$O$_{4}$ by the matrix method”, Phys. Solid State, 58:6 (2016), 1216–1221 7
12. Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1353–1357  mathnet  elib; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Dielectric properties of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1333–1337 3
13. Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Терагерцевый отклик олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1230–1237  mathnet  elib; N. T. Bagraev, A. L. Chernev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, A. K. Emelyanov, M. V. Dubina, “Terahertz response of DNA oligonucleotides on the surface of silicon nanostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1208–1215 5
14. N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, “Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1047–1054  mathnet  elib; Semiconductors, 50:8 (2016), 1025–1033 20
15. N. T. Bagraev, E. I. Chaikina, E. Yu. Danilovskii, D. S. Gets, L. E. Klyachkin, T. V. L'vova, A. M. Malyarenko, “Sulfur passivation of semi-insulating GaAs: transition from Coulomb blockade to weak localization regime”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  474–484  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 466–477 1
2011
16. N. Bagraev, G. Martin, B. S. Pavlov, A. Yafyasov, “Landau–Zener effect for a quasi-2D periodic sandwich”, Наносистемы: физика, химия, математика, 2:4 (2011),  32–50  mathnet  elib
1992
17. Н. Т. Баграев, И. С. Половцев, А. Юсупов, “Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в кремнии”, Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1949–1952  mathnet  isi
18. Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, А. Юсупов, “Метастабильность центра марганца в кремнии”, Физика твердого тела, 34:3 (1992),  870–878  mathnet  isi
19. Р. М. Амальская, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1004–1007  mathnet
20. Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, У. Сирожов, А. Юсупов, “Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: самокомпенсация двойных акцепторов цинка в твердых растворах кремний$-$германий”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  836–838  mathnet
21. Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, А. Юсупов, “Цинк в кремнии: фотоиндуцированные реакции”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  481–490  mathnet
22. Н. Т. Баграев, Р. М. Мирсаатов, И. С. Половцев, У. Сирожов, А. Юсупов, “Метастабильность центров марганца в твердых растворах кремний$-$германий”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  427–430  mathnet
1991
23. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1613–1617  mathnet
24. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  644–654  mathnet
25. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе”, Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  42–46  mathnet  isi
1990
26. Н. Т. Баграев, Д. М. Дараселия, Д. Л. Джапаридзе, В. В. Романов, Т. И. Санадзе, “Магнитные свойства монокристаллов $\alpha$-LiIO$_{3}$, содержащих ионы редкоземельных элементов”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2814–2816  mathnet  isi
27. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии $n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1563–1573  mathnet
28. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии $n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1557–1562  mathnet
1989
29. Н. Т. Баграев, И. С. Половцев, “Реакции центров железа, индуцированные пиннингом уровня Ферми в кремнии $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1643–1645  mathnet
30. Н. Т. Баграев, И. С. Половцев, “Оптическая самокомпенсация донорных центров железа в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1098–1100  mathnet
31. И. Г. Атабаев, Н. Т. Баграев, В. А. Машков, М. С. Саидов, У. Сирожов, А. Юсупов, “Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  525–531  mathnet
1988
32. Н. Т. Баграев, А. А. Лебедев, В. А. Машков, И. С. Половцев, “Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке”, Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084  mathnet  isi
33. Н. Т. Баграев, “Метастабильность фотоэмиссии из полупроводников с отрицательным сродством к электрону”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  329–334  mathnet  isi
1987
34. Н. Т. Баграев, А. Л. Дийков, Л. Е. Клячкин, В. А. Машков, В. Л. Суханов, “Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1025–1029  mathnet  isi
1986
35. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. А. Машков, “Исследование отжига дислокационных оборванных связей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов”, Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1190–1193  mathnet  isi
36. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. А. Машков, В. А. Храмцов, “Оптическая поляризация ядерных моментов в кремнии с одномерными дефектами”, Физика твердого тела, 28:2 (1986),  634–637  mathnet  isi
37. И. Г. Атабаев, Н. Т. Баграев, В. А. Машков, М. С. Саидов, А. Юсупов, “Реакции центров золота при оптической накачке твердых растворов кремний–германий”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  745–747  mathnet
1985
38. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169  mathnet  isi
39. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161  mathnet  isi
40. Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Р. П. Сейсян, В. Л. Суханов, Н. М. Шмидт, “Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066  mathnet  isi
41. Н. Т. Баграев, В. А. Машков, К. В. Муковников, “Переход полупроводник–диэлектрик в слабо легированных термообработанных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  611–615  mathnet
42. Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Д. С. Полоскин, “Спин-зависимая отрицательная фотопроводимость в кремнии”, Письма в ЖТФ, 11:9 (1985),  568–573  mathnet  isi
43. Н. Т. Баграев, А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Ю. Н. Толпаров, Ю. П. Яковлев, “Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121  mathnet  isi
1984
44. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. В. Добровенский, А. И. Шагун, “Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов”, ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928  mathnet  isi
45. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, Ю. А. Карпов, Б. М. Туровский, “Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского”, ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208  mathnet  isi
46. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Б. В. Пушный, В. К. Тибилов, Ю. П. Толпаров, А. Е. Шубин, “Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85  mathnet
47. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, М. Л. Кожух, В. А. Козлов, “Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882  mathnet  isi
1983
48. Н. Т. Баграев, Н. А. Витовский, Л. С. Власенко, Т. В. Машовец, О. Рахимов, “Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984  mathnet
49. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, Ю. А. Карпов, В. М. Туровский, “Распад твердого раствора золота в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  276–280  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024