Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1331–1335
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50233.9493 (Mi phts5107) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей

В. В. Романовa, В. А. Кожевниковa, В. А. Машковa, Н. Т. Баграевab

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (181 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50233.9493
Аннотация: Развит формализм статистического подхода к описанию осцилляций де Гааза–ван Альфена, известного как формула Лифшица–Косевича, применительно к низкоразмерной системе с зависящей от внешнего магнитного поля эффективной массой носителей. Статистический подход позволяет провести более детальную интерпретацию полученных в эксперименте результатов и провести анализ взаимосвязи обнаруженной нами зависимости эффективной массы носителя с индивидуальными особенностями структуры кремниевого наносандвича, обусловленными формированием в его составе negative-U $\delta$-барьеров.
Ключевые слова: формула Лифшица–Косевича, эффект де Гааза-ван Альфена, кремниевый наносандвич, эффективная масса, размерное квантование.
Поступила в редакцию: 23.07.2020
Исправленный вариант: 03.08.2020
Принята в печать: 03.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1593–1597
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120337
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Романов, В. А. Кожевников, В. А. Машков, Н. Т. Баграев, “Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица–Косевича с переменной эффективной массой носителей”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1331–1335; Semiconductors, 54:12 (2020), 1593–1597
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomKozMas20}
\by В.~В.~Романов, В.~А.~Кожевников, В.~А.~Машков, Н.~Т.~Баграев
\paper Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица--Косевича с переменной эффективной массой носителей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1331--1335
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5107}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50233.9493}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368067}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1593--1597
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120337}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5107
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1331
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024