Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1353–1357 (Mi phts6338)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур

Н. Т. Баграевab, А. Л. Черневc, Л. Е. Клячкинab, А. М. Маляренкоb, А. К. Емельяновc, М. В. Дубинаc

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (282 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Планарные кремниевые наноструктуры, представляющие собой сверхузкую кремниевую квантовую яму, ограниченную $\delta$-барьерами, сильно легированными бором, используются для изучения диэлектрических свойств олигонуклеотидов ДНК, нанесенных на их поверхность. Регистрация емкостных характеристик кремниевых наноструктур с нанесенными на их поверхность олигонуклеотидами проводилась с помощью измерений локальных туннельных вольт-амперных характеристик в рамках методики сканирующей туннельной микроскопии. Полученные результаты показывают возможность идентификации локальных диэлектрических свойств участков олигонуклеотида ДНК, состоящих из повторяющихся пар G–C, которые, по-видимому, позволяют соотнести их с полимерными молекулами, проявляющими свойства мультиферроиков.
Поступила в редакцию: 28.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1333–1337
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Т. Баграев, А. Л. Чернев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. К. Емельянов, М. В. Дубина, “Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1353–1357; Semiconductors, 50:10 (2016), 1333–1337
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BagCheKly16}
\by Н.~Т.~Баграев, А.~Л.~Чернев, Л.~Е.~Клячкин, А.~М.~Маляренко, А.~К.~Емельянов, М.~В.~Дубина
\paper Диэлектрические свойства олигонуклеотидов ДНК на поверхности кремниевых наноструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1353--1357
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6338}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369012}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1333--1337
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6338
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1353
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025