|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes”, Наносистемы: физика, химия, математика, 12:1 (2021), 113–117    |
| 2. |
В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков, “Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 237–240 ; V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Shape effect on the electrical properties of indium-antimonide quantum dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 315–318 |
1
|
| 3. |
В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, М. В. Гавриков, “Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 44–46 ; V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, M. V. Gavrikov, “Thermionic emission from indium antimonide quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 385–387 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, М. В. Гавриков, “Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 36–38 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov, “Study of the electrophysical properties of colloidal indium antimonide quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 339–341 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019), 720–724 |
| 6. |
Н. Д. Жуков, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, “О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 340–344 ; N. D. Zhukov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, “Mechanism and features of field emission in semiconductors”, Semiconductors, 53:3 (2019), 321–325 |
1
|
|
2018 |
| 7. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 464–467 |
1
|
| 8. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской, “Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 603–607 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, I. A. Gorbachev, E. G. Glukhovskoy, “Study of the properties of II–VI and III–V semiconductor quantum dots”, Semiconductors, 52:6 (2018), 750–754 |
10
|
| 9. |
Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин, “Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88 ; N. D. Zhukov, V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, M. I. Shishkin, “Peculiarities of the properties of III–V semiconductors in a multigrain structure”, Semiconductors, 52:1 (2018), 78–83 |
3
|
|
2017 |
| 10. |
N. D. Zhukov, A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, “Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots”, Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017), 596–599 |
1
|
|
2016 |
| 11. |
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской, “Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 51–58 ; A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, I. A. Gorbachev, E. G. Glukhovskoy, “A study of specific features of the electronic spectrum of quantum dots in CdSe semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 796–798 |
2
|
|
2015 |
| 12. |
И. О. Кожевников, А. И. Михайлов, Д. Н. Браташов, “Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:1 (2015), 51–56 |
|
2013 |
| 13. |
А. И. Михайлов, А. В. Митин, И. О. Кожевников, “Оптимизация алгоритма математической модели установления распределения заряда и электрического поля в многослойной полупроводниковой структуре с металлическими контактами”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 4, 133–146 |
|
Обратная связь: