Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 603–607
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45923.8443 (Mi phts5809) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (172 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45923.8443
Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводниковых материалов групп A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$. Анализ исследуемых образцов позволил оценить положение первых трех уровней электронного спектра квантового объекта. Получено хорошее качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии через квантовую точку удовлетворительно описывается теорией Моргулиса–Стрэттона в условиях эксперимента.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00093/16
16-07-00185/16
Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ № 16-07-00093/16 и № 16-07-00185/16.
Поступила в редакцию: 31.08.2017
Принята в печать: 25.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 6, Pages 750–754
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618060155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, И. А. Горбачев, Е. Г. Глуховской, “Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 603–607; Semiconductors, 52:6 (2018), 750–754
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikKabGor18}
\by А.~И.~Михайлов, В.~Ф.~Кабанов, И.~А.~Горбачев, Е.~Г.~Глуховской
\paper Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 603--607
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5809}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45923.8443}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37051673}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 750--754
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618060155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5809
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p603
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024