|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, М. В. Гавриков Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация:
На основе анализа нормированных дифференциальных туннельных вольт-амперных характеристик проведено рассмотрение механизмов токопереноса через квантовые точки антимонида индия. Исследовано туннелирование электронов с учетом дискретного спектра квантовых точек. Проведена оценка положения первых трех уровней их электронного спектра. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии из пленочной структуры коллоидных квантовых точек антимонида индия удовлетворительно описывается теорией Моргулиса–Стрэттона в диапазоне значений напряженности электрического поля, соответствующем условиям экспериментов.
Ключевые слова:
квантовые точки, антимонид индия, сканирующая туннельная микроскопия, теория Моргулиса–Стрэттона.
Поступила в редакцию: 09.12.2019 Исправленный вариант: 09.12.2019 Принята в печать: 10.01.2020
Образец цитирования:
А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, М. В. Гавриков, “Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 36–38; Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 339–341
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5145 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i7/p36
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 39 |
|