|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко, “Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 7–10   ; M. I. Shishkin, Yu. V. Nikulin, E. S. Prikhozhdenko, “Properties of films based on nanosize and submicrometer InSb particles passivated with CdS”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1000–1003 |
|
2019 |
| 2. |
Н. Д. Жуков, Д. В. Крыльский, М. И. Шишкин, А. А. Хазанов, “Синтез, фото- и катодолюминесцентные свойства коллоидных квантовых точек CdSe, CdTe, PbS, InSb, GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1103–1109 ; N. D. Zhukov, D. V. Krylsky, M. I. Shishkin, A. A. Khazanov, “On the synthesis and photoluminescence and cathodoluminescence properties of CdSe, CdTe, PbS, InSb, and GaAs colloidal quantum dots”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1082–1087 |
| 3. |
М. И. Шишкин, М. В. Гавриков, И. Т. Ягудин, А. Г. Роках, “Особенности транспорта электронов и фотопроводимости в слое наноразмерных частиц сульфида свинца”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 3–6 ; M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, I. T. Yagudin, A. G. Rokakh, “Features of electron transport and photoconductivity in the layer of nanoscale lead sulfide particles”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 370–373 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
Н. Д. Жуков, М. И. Шишкин, А. А. Хазанов, С. В. Дежуров, “Спектры фотолюминесценции и плазменного отражения коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, GaAs”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2018, № 8(74), 21–25 |
| 5. |
A. I. Mikhailov, V. F. Kabanov, E. G. Glukhovskoy, M. I. Shishkin, M. V. Gavrikov, “Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018), 464–467  |
1
|
| 6. |
А. Г. Роках, М. И. Шишкин, В. С. Аткин, “О рекомбинационных процессах в пленках CdS–PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 853–859 ; A. G. Rokakh, M. I. Shishkin, V. S. Atkin, “On recombination processes in CdS–PbS films”, Semiconductors, 52:8 (2018), 986–992 |
3
|
| 7. |
Н. Д. Жуков, А. Г. Роках, М. И. Шишкин, “Свойства наночастиц сульфида свинца в мультизеренной структуре”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 608–613 ; N. D. Zhukov, A. G. Rokakh, M. I. Shishkin, “Properties of lead-sulfide nanoparticles in a multicrystalline structure”, Semiconductors, 52:6 (2018), 755–759 |
3
|
| 8. |
Н. Д. Жуков, В. Ф. Кабанов, А. И. Михайлов, Д. С. Мосияш, А. А. Хазанов, М. И. Шишкин, “Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 83–88 ; N. D. Zhukov, V. F. Kabanov, A. I. Mikhailov, D. S. Mosiyash, A. A. Khazanov, M. I. Shishkin, “Peculiarities of the properties of III–V semiconductors in a multigrain structure”, Semiconductors, 52:1 (2018), 78–83 |
3
|
| 9. |
Н. Д. Жуков, М. И. Шишкин, А. Г. Роках, “Плазменное отражение в мультизеренном слое узкозонных полупроводников”, Письма в ЖТФ, 44:8 (2018), 102–110 ; N. D. Zhukov, M. I. Shishkin, A. G. Rokakh, “Plasma reflection in multigrain layers of narrow-bandgap semiconductors”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 362–365 |
3
|
| 10. |
Н. Б. Трофимова, А. Г. Роках, А. О. Бочкарев, М. И. Шишкин, “Экситонные линии поглощения PbS в композите CdS–PbS”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 78–87 ; N. B. Trofimova, A. G. Rokakh, A. O. Bochkarev, M. I. Shishkin, “Excitonic absorption lines of PbS in a CdS–PbS composite”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 309–312 |
|
Обратная связь: