Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 853–859
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46209.8687 (Mi phts5753) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

О рекомбинационных процессах в пленках CdS–PbS

А. Г. Роках, М. И. Шишкин, В. С. Аткин

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (768 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46209.8687
Аннотация: Исследовалась поперечная и продольная фотопроводимость, фото- и катодолюминесценция сублимированных пленок CdS(0.9)–PbS(0.1) при комнатной температуре и охлаждении, показана роль включений узкозонной фазы в рассмотренных процессах. Возбуждение производилось как по всей активной поверхности пленки, так и “точечно” (в пределах одного кристаллита). Выполнена оценка скорости поверхностной рекомбинации и времени жизни основных носителей заряда при разной скорости генерации и характере их возбуждения. Дается сравнительная таблица рекомбинационных свойств пленок CdS и CdS-PbS.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00226
Работа поддержана грантом РФФИ 16-07-00226.
Поступила в редакцию: 12.07.2017
Принята в печать: 05.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 986–992
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080171
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Роках, М. И. Шишкин, В. С. Аткин, “О рекомбинационных процессах в пленках CdS–PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 853–859; Semiconductors, 52:8 (2018), 986–992
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RokShiAtk18}
\by А.~Г.~Роках, М.~И.~Шишкин, В.~С.~Аткин
\paper О рекомбинационных процессах в пленках CdS--PbS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 853--859
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5753}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46209.8687}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269426}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 986--992
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080171}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5753
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p853
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024