Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Яковлев Иван Александрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:92
Страницы публикаций:1136
Полные тексты:193
Списки литературы:118
кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person99716
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. O. Maksimova, S. Lyaschenko, I. Tarasov, I. Yakovlev, Yu. Mikhlin, S. Varnakov, S. Ovchinnikov, “The magneto-optical voigt parameter from magneto-optical ellipsometry data for multilayer samples with single ferromagnetic layer”, Физика твердого тела, 63:9 (2021),  1311  mathnet  elib; Phys. Solid State, 63:10 (2021), 1485–1495 2
2. С. Г. Овчинников, О. А. Максимова, С. А. Лященко, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, “Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла”, Письма в ЖЭТФ, 114:3 (2021),  192–195  mathnet  elib; S. G. Ovchinnikov, O. A. Maksimova, S. A. Lyaschenko, I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, “Role of interfaces in the permittivity tensor of thin layers of a ferromagnetic metal”, JETP Letters, 114:3 (2021), 163–165  isi  scopus 1
2020
3. А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Н. В. Волков, “Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  43–46  mathnet  elib; A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, I. A. Bondarev, I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov, “Spin accumulation in the Fe$_{3}$Si/$n$-Si epitaxial structure and related electric bias effect”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 665–668 1
2019
4. О. А. Максимова, С. А. Лященко, М. А. Высотин, И. А. Тарасов, И. А. Яковлев, Д. В. Шевцов, А. С. Федоров, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, “Экспериментальное и теоретическое исследование слоистых ферромагнитных структур методом спектральной in situ магнитоэллипсометрии”, Письма в ЖЭТФ, 110:3 (2019),  155–162  mathnet  elib; O. A. Maximova, S. A. Lyaschenko, M. A. Vysotin, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, D. V. Shevtsov, A. S. Fedorov, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, “Experimental and theoretical in situ spectral magneto-ellipsometry study of layered ferromagnetic structures”, JETP Letters, 110:3 (2019), 166–172  isi  scopus 5
2018
5. I. A. Tarasov, M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, M. N. Volochaev, “Effect of epitaxial alignment on electron transport from quasi-two-dimensional iron silicide $\alpha$-FeSi$_{2}$ nanocrystals into $p$-Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  523  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 654–659 4
2016
6. С. Г. Овчинников, С. Н. Варнаков, С. А. Лященко, И. А. Тарасов, И. А. Яковлев, Е. А. Попов, С. М. Жарков, Д. А. Великанов, А. С. Тарасов, В. С. Жандун, Н. Г. Замкова, “Наноструктуры ферромагнитный металл/полупроводник на основе силицидов железа”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2195–2199  mathnet  elib; S. G. Ovchinnikov, S. N. Varnakov, S. A. Lyaschenko, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, E. A. Popov, S. M. Zharkov, D. A. Velikanov, A. S. Tarasov, V. S. Zhandun, N. G. Zamkova, “Iron silicide-based ferromagnetic metal/semiconductor nanostructures”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2277–2281 4
2014
7. И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, Б. А. Беляев, С. М. Жарков, М. С. Молокеев, И. А. Тарасов, С. Г. Овчинников, “Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe$_3$Si/Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 99:9 (2014),  610–613  mathnet  elib; I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, B. A. Belyaev, S. M. Zharkov, M. S. Molokeev, I. A. Tarasov, S. G. Ovchinnikov, “Study of the structural and magnetic characteristics of epitaxial Fe$_3$Si/Si(111) films”, JETP Letters, 99:9 (2014), 527–530  isi  elib  scopus 25

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024