Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 13, страницы 43–46
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106 (Mi pjtf5064) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения

А. С. Тарасовab, А. В. Лукьяненкоab, И. А. Бондаревab, И. А. Яковлевa, С. Н. Варнаковa, С. Г. Овчинниковab, Н. В. Волковab

a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
b Институт инженерной физики и радиоэлектроники Сибирского федерального университета, г. Красноярск
PDF полного текста (980 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.
Ключевые слова: силицид железа, структуры ферромагнетик/полупроводник, эффект Ханле, спиновая аккумуляция, электрическая спиновая инжекция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-42-243022
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2019-1886
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886).
Поступила в редакцию: 08.11.2019
Исправленный вариант: 19.02.2020
Принята в печать: 06.04.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 7, Pages 665–668
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020070135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, С. Г. Овчинников, Н. В. Волков, “Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 43–46; Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 665–668
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarLukBon20}
\by А.~С.~Тарасов, А.~В.~Лукьяненко, И.~А.~Бондарев, И.~А.~Яковлев, С.~Н.~Варнаков, С.~Г.~Овчинников, Н.~В.~Волков
\paper Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe$_{3}$Si/$n$-Si и влияние на него электрического смещения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 13
\pages 43--46
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5064}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43870314}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 7
\pages 665--668
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020070135}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5064
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i13/p43
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024