Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2021, том 114, выпуск 3, страницы 192–195
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782115009X (Mi jetpl6484) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла

С. Г. Овчинниковab, О. А. Максимоваab, С. А. Лященкоb, И. А. Яковлевb, С. Н. Варнаковb

a Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
b Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН – обособленное подразделение Федерального исследовательского центра “Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН”, 660036 Красноярск, Россия
PDF полного текста (205 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.31857/S123456782115009X
Аннотация: Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора $\varepsilon$ при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-12-00226
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда # 21-12-00226, http://rscf.ru/project/21-12-00226/.
Поступила в редакцию: 26.06.2021
Исправленный вариант: 09.07.2021
Принята в печать: 09.07.2021
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2021, Volume 114, Issue 3, Pages 163–165
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364021150066
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Г. Овчинников, О. А. Максимова, С. А. Лященко, И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, “Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла”, Письма в ЖЭТФ, 114:3 (2021), 192–195; JETP Letters, 114:3 (2021), 163–165
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OvcMakLya21}
\by С.~Г.~Овчинников, О.~А.~Максимова, С.~А.~Лященко, И.~А.~Яковлев, С.~Н.~Варнаков
\paper Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2021
\vol 114
\issue 3
\pages 192--195
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6484}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S123456782115009X}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46422299}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2021
\vol 114
\issue 3
\pages 163--165
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364021150066}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000702678300009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85116299872}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6484
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v114/i3/p192
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:10
    Список литературы:23
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025