Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 99, выпуск 9, страницы 610–613
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14090082
(Mi jetpl3730)
 

Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe$_3$Si/Si(111)

И. А. Яковлевa, С. Н. Варнаковab, Б. А. Беляевabc, С. М. Жарковca, М. С. Молокеевa, И. А. Тарасовba, С. Г. Овчинниковbca

a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
b Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева
c Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
Список литературы:
Аннотация: Представлены результаты структурных и магнитных исследований эпитаксиальной структуры, полученной при одновременном напылении из двух источников железа и кремния на атомарно чистую поверхность Si(111)7$\times$7 при температуре подложки $150\,^\circ$С. Методами рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции отраженных быстрых электронов эпитаксиальная структура идентифицирована как монокристаллическая пленка силицида Fe$_3$Si с ориентацией Si[111]$\parallel$Fe$_3$Si[111]. Установлено, что эпитаксиальная пленка Fe$_3$Si при комнатной температуре обладает магнитной одноосной анизотропией ($H_a=26\,$Э) и имеет сравнительно узкую линию однородного ферромагнитного резонанса ($\Delta H=11.57\,$Э), измеренную на частоте накачки $2.274$ ГГц.
Поступила в редакцию: 28.03.2014
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 99, Issue 9, Pages 527–530
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014090124
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков, Б. А. Беляев, С. М. Жарков, М. С. Молокеев, И. А. Тарасов, С. Г. Овчинников, “Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe$_3$Si/Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 99:9 (2014), 610–613; JETP Letters, 99:9 (2014), 527–530
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakVarBel14}
\by И.~А.~Яковлев, С.~Н.~Варнаков, Б.~А.~Беляев, С.~М.~Жарков, М.~С.~Молокеев, И.~А.~Тарасов, С.~Г.~Овчинников
\paper Исследование структурных и магнитных характеристик
эпитаксиальных пленок Fe$_3$Si/Si(111)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 9
\pages 610--613
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3730}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14090082}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21695944}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 9
\pages 527--530
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014090124}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000339936700008}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24047651}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84925804860}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3730
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i9/p610
  • Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:581
    PDF полного текста:75
    Список литературы:56
    Первая страница:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024