|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2002 |
| 1. |
В. И. Швейкин, В. А. Геловани, “Новые диодные лазеры с вытекающим излучением в оптическом резонаторе”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 683–688  [V. I. Shveikin, V. A. Gelovani, “New diode lasers with leaking emission in an optical cavity”, Quantum Electron., 32:8 (2002), 683–688  ] |
15
|
|
1999 |
| 2. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, Ю. С. Алавердян, А. В. Устинов, В. И. Швейкин, “Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде”, Квантовая электроника, 27:2 (1999), 131–133 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, Yu. S. Alaverdyan, A. V. Ustinov, V. I. Shveikin, “Experimental determination of the factor representing spontaneous emission into a mode of a semiconductor laser operating on a leaky wave”, Quantum Electron., 29:5 (1999), 410–412 ] |
4
|
| 3. |
В. И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко, “Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 33–36 [V. I. Shveikin, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, Yu. V. Kurnyavko, “Angular distribution of the radiation from quantum-well ‘leaky-wave' InGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 33–36 ] |
11
|
| 4. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. И. Швейкин, “Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 28–32 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. I. Shveikin, “Efficiency and intensity distribution in a semiconductor laser operating in the ‘leaky' regime”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 28–32 ] |
6
|
|
1997 |
| 5. |
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин, “Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры”, Квантовая электроника, 24:9 (1997), 773–775 [O. V. Zhuravleva, V. D. Kurnosov, V. I. Shveikin, “Effects of irradiation on GaAlAs — GaAs and InGaAsP — InP lasers”, Quantum Electron., 27:9 (1997), 753–755 ] |
2
|
|
1995 |
| 6. |
М. А. Раймкулов, А. И. Леонович, В. Н. Дроздовский, В. П. Дураев, В. И. Швейкин, “Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью с одномодовым световодом и оптическим изолятором”, Квантовая электроника, 22:7 (1995), 653–655 [M. A. Raimkulov, A. I. Leonovich, V. N. Drozdovskii, V. P. Duraev, V. I. Shveikin, “Laser diode module with distributed feedback, single-mode fibre waveguide, and optical isolator”, Quantum Electron., 25:7 (1995), 625–627 ] |
| 7. |
Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин, “Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 105–107 [E. G. Golikova, V. P. Duraev, S. A. Kozikov, V. G. Krigel, O. A. Labutin, V. I. Shveikin, “Quantum-well InGaAsPInP lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 96–98 ] |
1
|
| 8. |
В. В. Безотосный, Ю. П. Коваль, Н. В. Маркова, Ю. М. Попов, М. Н. Грудень, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики линеек инжекционных лазеров на длине волны 805 — 810 нм для накачки твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 101–104 [V. V. Bezotosnyi, Yu. P. Koval', N. V. Markova, Yu. M. Popov, M. N. Gruden', V. I. Shveikin, “Characteristics of the emission of 805 — 810 nm radiation by linear injection-laser arrays used to pump solid-state lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 93–95 ] |
4
|
|
1994 |
| 9. |
Э. В. Аржанов, А. П. Богатов, В. П. Коняев, О. М. Никитина, В. И. Швейкин, “Волноводные свойства гетеролазеров на основе квантово-размерных напряженных структур в системе InGaAs/GaAs и особенности их спектра усиления”, Квантовая электроника, 21:7 (1994), 633–639 [E. V. Arzhanov, A. P. Bogatov, V. P. Konyaev, O. M. Nikitina, V. I. Shveikin, “Waveguiding properties of heterolasers based on InGaAs/GaAs strained quantum-well structures and characteristics of their gain spectra”, Quantum Electron., 24:7 (1994), 581–587 ] |
32
|
| 10. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 21:5 (1994), 405–408 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. I. Shveikin, “Spectral investigation of the radiation emitted by strained InGaAs/GaAlAs quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 373–376 ] |
|
1990 |
| 11. |
А. А. Дивак, Г. А. Ермаков, Н. А. Ковыженко, Г. Я. Колодный, В. А. Коновалов, И. И. Куратев, А. В. Семененко, А. В. Тарасов, Ю. В. Цветков, В. И. Швейкин, В. Г. Янчук, “Малогабаритный неодимовый лазер с полупроводниковой накачкой и преобразованием частоты в четвертую гармонику”, Квантовая электроника, 17:2 (1990), 165–166 [A. A. Divak, G. A. Ermakov, N. A. Kovyzhenko, G. Ya. Kolodnyǐ, V. A. Konovalov, I. I. Kuratev, A. V. Semenenko, A. V. Tarasov, Yu. V. Tsvetkov, V. I. Shveikin, V. G. Yanchuk, “Compact neodymium laser with semiconductor-laser pumping and frequency conversion to the fourth harmonic”, Sov J Quantum Electron, 20:2 (1990), 124–125 ] |
|
1975 |
| 12. |
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, К. Б. Дедушенко, А. В. Кожевников, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Узкий, В. И. Швейкин, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1957–1962 [Yu. A. Bykovskii, I. G. Goncharov, K. B. Dedushenko, A. V. Kozhevnikov, V. N. Luk'yanov, A. F. Uzkii, V. I. Shveikin, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Gallium arsenide electron-beam-pumped laser with a distributed feedback”, Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1063–1066] |
| 13. |
И. Г. Гончаров, К. Б. Дедушенко, А. В. Кожевников, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Узкий, В. И. Швейкин, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Вывод излучения ПКГ с электронным возбуждением через дифракционную решетку”, Квантовая электроника, 2:3 (1975), 621–622 [I. G. Goncharov, K. B. Dedushenko, A. V. Kozhevnikov, V. N. Luk'yanov, A. F. Uzkii, V. I. Shveikin, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Extraction of radiation from an electron-beam-excited semiconductor laser through a diffraction grating”, Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 352] |
|
1974 |
| 14. |
В. И. Бородулин, В. П. Коняев, Г. Н. Малявкина, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. А. Прудникова, В. И. Швейкин, “Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1220–1222 [V. I. Borodulin, V. P. Konyaev, G. N. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. A. Prudnikova, V. I. Shveikin, “Investigation of injection lasers with a wide active region”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 670–671] |
1
|
| 15. |
В. И. Бородулин, В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, “Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 163–164 [V. I. Borodulin, V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, “Injection laser with an average output power of 200 mW”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 94] |
| 16. |
В. И. Бородулин, В. И. Швейкин, “О возбуждении электромагнитных волн TE<sub>n</sub> с высоким поперечным индексом и зависимость
порога генерации и эффективности лазерных диодов от порядка возбуждаемой моды”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 54–61 [V. I. Borodulin, V. I. Shveikin, “Excitation of TE<sub>n</sub> electromagnetic waves with a high transverse index and dependence of the threshold and efficiency of laser diodes on the order of excited mode”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 28–31] |
|
1972 |
| 17. |
В. И. Бородулин, Г. М. Малявкина, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Некоторые свойства деградации гетеролазеров”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 108–110 [V. I. Borodulin, G. M. Malyavkina, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Some aspects of the degradation of heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 294–296] |
5
|
|
1971 |
| 18. |
Г. Т. Пак, А. И. Петров, Е. Г. Файнбойм, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 99–101 [G. T. Pak, A. I. Petrov, E. G. Fainboim, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Internal parameters of injection lasers at 300°K”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 508–509] |
1
|
| 19. |
В. А. Горбылев, Г. Т. Пак, А. И. Петров, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, И. В. Яшумов, “Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 97–99 [V. A. Gorbylev, G. T. Pak, A. I. Petrov, N. P. Chernousov, V. I. Shveikin, I. V. Yashumov, “Dependence of the stimulated emission threshold of injection lasers on the duration of pumping current pulses”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 505–507] |
8
|
|
Обратная связь: