Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки

Экспериментально исследована зависимость порога генерации инжекционных лазеров с диффузионными и гетеропереходами в системе GaAs–AlAs от длительности импульсов тока накачки в интервале 2–100 нсек. Определены величины эффективного времени жизни инжектируемых электронов для трех типов лазеров: с диффузионным р–n-переходом ( ~ 1 нсек), с одним гетеропереходом (~2,5 нсек) и с двумя гетеропереходами (3–6 нсек).