Аннотация:
Исследована радиационная стойкость полупроводниковых лазеров на основе GaAlAs — GaAs и InGaAsP — InP. Показано, что она уменьшается при увеличении длины волны излучения. Наибольшую радиационную стойкость имели полупроводниковые лазеры с длиной волны излучения 0.85 мкм.
Образец цитирования:
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин, “Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры”, Квантовая электроника, 24:9 (1997), 773–775 [Quantum Electron., 27:9 (1997), 753–755]