|
Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 9, страницы 773–775
(Mi qe1038)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Лазеры
Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация:
Исследована радиационная стойкость полупроводниковых лазеров на основе GaAlAs — GaAs и InGaAsP — InP. Показано, что она уменьшается при увеличении длины волны излучения. Наибольшую радиационную стойкость имели полупроводниковые лазеры с длиной волны излучения 0.85 мкм.
Поступила в редакцию: 03.02.1997
Образец цитирования:
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин, “Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры”, Квантовая электроника, 24:9 (1997), 773–775 [Quantum Electron., 27:9 (1997), 753–755]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1038 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i9/p773
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 201 | PDF полного текста: | 134 |
|