|
Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 2, страницы 105–107
(Mi qe296)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры
Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями
Е. Г. Голиковаa, В. П. Дураевb, С. А. Козиковa, В. Г. Кригельa, О. А. Лабутинa, В. И. Швейкинa a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
b ЗАО "Нолатех" (Новая Лазерная Техника), г. Москва
Аннотация:
Рассмотрены гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (длина волны излучения 1.55 мкм) с квантово-размерными слоями, изготовленными методом МОС-гидридной эпитаксии. Описаны геометрия квантово-размерных слоев, оже-электронный профиль и ватт-амперные характеристики лазеров. Проанализированы основные характеристики лазеров с квантово-размерными слоями и показано, что эти лазеры обладают малыми пороговыми токами, шириной спектра люминесценции, оптическими потерями (менее 13 см–1), а также повышенной характеристической температурой по сравнению с лазерами, изготовленными на основе объемного кристалла.
Образец цитирования:
Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин, “Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 105–107 [Quantum Electron., 25:2 (1995), 96–98]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe296 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i2/p105
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 262 | PDF полного текста: | 249 |
|