|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2005 |
| 1. |
П. Г. Елисеев, Ч. Лиу, Х. Као, М. А. Осинский, “Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод”, Квантовая электроника, 35:9 (2005), 787–790  [P. G. Eliseev, Ch. Liu, H. Cao, M. A. Osinski, “Spectral perturbations in a semiconductor laser: I. Anomalous splitting in the mode-beating spectrum”, Quantum Electron., 35:9 (2005), 787–790  ] |
1
|
|
2004 |
| 2. |
П. Г. Елисеев, Дж. Ли, М. А. Осинский, “Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1127–1132 [P. G. Eliseev, J. Lee, M. A. Osinski, “Electro-optical properties of UV-emitting InGaN heterostructures considering injection-induced conductivity”, Quantum Electron., 34:12 (2004), 1127–1132 ] |
2
|
|
1998 |
| 3. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 1013–1016 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “High-temperature properties of InGaN light-emitting diodes”, Quantum Electron., 28:11 (1998), 987–990 ] |
3
|
|
1996 |
| 4. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, П. Перлин, “Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки”, Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1069–1071 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, P. Perlin, “Spontaneous emission from a quantum-well GaN/InGaN/AlGaN heterostructure at high pump currents”, Quantum Electron., 26:12 (1996), 1039–1041 ] |
7
|
|
1980 |
| 5. |
П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1407–1416 [P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “Use of the Epstein dielectric model to describe modes of planar stripe-geometry heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 811–816 ] |
1
|
|
Обратная связь: