|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 53:7 (2023), 561–564  [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “New high-reliability optical transmission modules based on powerful superluminescent diodes in the spectral range 1.5 – 1.6 μm”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1246–S1251] |
|
2022 |
| 2. |
Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов”, Квантовая электроника, 52:6 (2022), 577–579 [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes”, Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579  ] |
1
|
| 3. |
Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181  ] |
3
|
|
2021 |
| 4. |
Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 905–908  [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908 ] |
3
|
|
2020 |
| 5. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, С. С. Мирзаи, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 420–425 ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 |
3
|
| 6. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 292–295 ; A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 |
1
|
| 7. |
Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833 ] |
3
|
|
2015 |
| 8. |
Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 601–603 [N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603 ] |
6
|
|
2008 |
| 9. |
Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008), 744–746 [E. V. Andreeva, N. A. Volkov, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, D. R. Sabitov, S. D. Yakubovich, “Broadband near-IR double quantum-well heterostructure superluminescent diodes”, Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746 ] |
1
|
| 10. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008), 97–102 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102 ] |
2
|
|
Обратная связь: