|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
1. |
В. П. Дураев, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, М. Р. Лебедев, “Одночастотные перестраиваемые полупроводниковые лазеры с внешним резонатором на длину волны 1550 нм”, Квантовая электроника, 53:12 (2023), 887–890 [V. P. Duraev, S. A. Voronchenko, S. V. Medvedev, M. R. Lebedev, “Single-frequency tunable external-cavity semiconductor lasers emitting at 1550 nm”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 3 (2024), S185–S190] |
|
2022 |
2. |
В. П. Дураев, М. А. Ладугин, И. С. Молодцов, С. А. Воронченко, С. В. Медведев, Н. В. Гультиков, “Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм”, Квантовая электроника, 52:9 (2022), 775–778 |
|
2016 |
3. |
М. В. Богданович, В. П. Дураев, В. С. Калинов, О. Е. Костик, К. И. Ланцов, К. В. Лепченков, В. В. Машко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, Л. Л. Тепляшин, “Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля”, Квантовая электроника, 46:10 (2016), 870–872 [M. V. Bogdanovich, V. P. Duraev, V. S. Kalinov, O. E. Kostik, K. I. Lantsov, K. V. Lepchenkov, V. V. Mashko, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, L. L. Teplyashin, “Transversely diode-pumped Q-switched Nd : YAG laser with injection of radiation from a single-frequency semiconductor laser”, Quantum Electron., 46:10 (2016), 870–872 ] |
3
|
|
2013 |
4. |
В. П. Дураев, С. В. Медведев, “Полупроводниковый лазер с кольцевым волоконным резонатором”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 914–916 [V. P. Duraev, S. V. Medvedev, “Fibre ring cavity semiconductor laser”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 914–916 ] |
1
|
|
2010 |
5. |
В. В. Акпаров, В. Г. Дмитриев, В. П. Дураев, А. А. Казаков, “Полупроводниковый кольцевой лазер и исследование его характеристик в режиме датчика вращения”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 851–854 [V. V. Akparov, V. G. Dmitriev, V. P. Duraev, A. A. Kazakov, “A semiconductor ring laser: study of its characteristics as a rotation sensor”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 851–854 ] |
18
|
|
2008 |
6. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008), 97–102 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102 ] |
2
|
|
2007 |
7. |
В. П. Дураев, Г. Б. Лутц, Е. Т. Неделин, М. А. Сумароков, О. И. Медведков, С. А. Васильев, “Дискретно перестраиваемый одночастотный диодный лазер с волоконными брэгговскими решетками”, Квантовая электроника, 37:12 (2007), 1143–1145 [V. P. Duraev, G. B. Lutts, E. T. Nedelin, M. A. Sumarokov, O. I. Medvedkov, S. A. Vasil'ev, “Discretely tunable single-frequency fibre Bragg grating diode laser”, Quantum Electron., 37:12 (2007), 1143–1145 ] |
2
|
|
2005 |
8. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм”, Квантовая электроника, 35:10 (2005), 909–911 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911 ] |
2
|
9. |
А. В. Гладышев, М. И. Беловолов, С. А. Васильев, В. П. Дураев, О. И. Медведков, А. И. Надеждинский, Е. Т. Неделин, Я. Я. Понуровский, “Непрерывно перестраиваемый одночастотный диодный лазер на длину волны 1.52 мкм для целей газоанализа”, Квантовая электроника, 35:3 (2005), 241–242 [A. V. Gladyshev, M. I. Belovolov, S. A. Vasil'ev, V. P. Duraev, O. I. Medvedkov, A. I. Nadezhdinskii, E. T. Nedelin, Ya. Ya. Ponurovskii, “Continuously tunable single-frequency 1.52-μm diode laser for gas analysis”, Quantum Electron., 35:3 (2005), 241–242 ] |
5
|
|
2001 |
10. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, К. И. Климов, “Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530 – 1560 нм”, Квантовая электроника, 31:6 (2001), 529–530 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, K. I. Klimov, “Bragg fibre grating semiconductor lasers with the narrow emission spectrum in the 1530 – 1560-nm region”, Quantum Electron., 31:6 (2001), 529–530 ] |
13
|
|
1998 |
11. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, Т. П. Недобывайло, М. А. Сумароков, В. В. Шишков, “Одночастотный полупроводниковый лазер на λ = 1.06 мкм с распределенным брегговским зеркалом в волоконном световоде”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 301–302 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, T. P. Nedobyvailo, M. A. Sumarokov, V. V. Shishkov, “Single-frequency λ = 1.06 μm semiconductor laser with a distributed Bragg mirror in an optical fibre”, Quantum Electron., 28:4 (1998), 290–291 ] |
4
|
|
1996 |
12. |
В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. В. Мельников, М. А. Сумароков, В. А. Шишкин, “Низкопороговые лазеры с длиной волны излучения 1.02 мкм на основе InGaP/InGaAsP”, Квантовая электроника, 23:9 (1996), 785–786 [V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. V. Mel'nikov, M. A. Sumarokov, V. A. Shishkin, “Low-threshold InGaP/InGaAsP lasers with the emission wavelength 1.02 μm”, Quantum Electron., 26:9 (1996), 765–766 ] |
|
1995 |
13. |
М. А. Раймкулов, А. И. Леонович, В. Н. Дроздовский, В. П. Дураев, В. И. Швейкин, “Модуль лазерного диода с распределенной обратной связью с одномодовым световодом и оптическим изолятором”, Квантовая электроника, 22:7 (1995), 653–655 [M. A. Raimkulov, A. I. Leonovich, V. N. Drozdovskii, V. P. Duraev, V. I. Shveikin, “Laser diode module with distributed feedback, single-mode fibre waveguide, and optical isolator”, Quantum Electron., 25:7 (1995), 625–627 ] |
14. |
Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, С. А. Козиков, В. Г. Кригель, О. А. Лабутин, В. И. Швейкин, “Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 105–107 [E. G. Golikova, V. P. Duraev, S. A. Kozikov, V. G. Krigel, O. A. Labutin, V. I. Shveikin, “Quantum-well InGaAsPInP lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 96–98 ] |
1
|
|
1992 |
15. |
By Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, М. В. Цоцория, “Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 674–676 [Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, M. V. Tsotsorya, “Interferometric modulation in an optical amplifier based on an InGaAsP/lnP heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 624–626 ] |
|
1991 |
16. |
В. П. Гапонцев, Е. М. Дианов, В. П. Дураев, А. В. Киселев, А. В. Кузнецов, И. Э. Самарцев, A. М. Прохоров, Е. А. Щербаков, “Волоконный интерферометр Майкельсона с компенсацией потерь”, Квантовая электроника, 18:9 (1991), 1137–1139 [V. P. Gapontsev, E. M. Dianov, V. P. Duraev, A. V. Kiselev, A. V. Kuznetsov, I. É. Samartsev, A. M. Prokhorov, E. A. Shcherbakov, “Fiber Michelson interferometer with loss compensation”, Sov J Quantum Electron, 21:9 (1991), 1030–1032 ] |
|
1990 |
17. |
В. И. Барышев, А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, М. П. Рахвальский, “Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм”, Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1147–1150 [V. I. Baryshev, A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, M. P. Rakhval'skiǐ, “Radiative characteristics of buried mesa stripe heterolasers emitting at 1.5 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1057–1059 ] |
1
|
18. |
Ю. А. Быковский, К. Б. Дедушенко, В. П. Дураев, И. Г. Лихачев, Е. Т. Неделин, “Спектральные характеристики инжекционных C<sup>3</sup>-лазеров на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 17:4 (1990), 410–411 [Yu. A. Bykovskii, K. B. Dedushenko, V. P. Duraev, I. G. Likhachev, E. T. Nedelin, “Spectral characteristics of InGaAsP/InP injection C<sup>3</sup> lasers”, Sov J Quantum Electron, 20:4 (1990), 344–346 ] |
|
1989 |
19. |
Буй Зуи, Ву Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Е. Т. Неделин, Нгуен Тхи Тхань Фыонг, Нгуен Чыонг Тхонг Ньят, “Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1606–1608 [Bui Huy, Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, E. T. Nedelin, Nguyên Thi Thanh Truong, Nguyên Chyong Thong Nhat, “Single-mode laser amplifier operating in the 1.3 μm range and using a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1034–1036 ] |
|
1988 |
20. |
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2196–2198 [V. I. Baryshev, E. G. Golikova, V. P. Duraev, V. I. Kuchinskii, K. Yu. Kizhaev, D. V. Kuksenkov, E. L. Portnoǐ, V. B. Smirnitskiǐ, “Continuous-wave distributed-feedback InGaAsP (λ = 1.55 μm) injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1376–1378 ] |
2
|
21. |
Ю. Л. Бессонов, Е. М. Дианов, В. П. Дураев, Ю. М. Кирик, А. В. Кузнецов, A. М. Прохоров, Е. А. Щербаков, “Влияние длины когерентности лазера на шумовые характеристики ВОЛС с частотной модуляцией”, Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2158–2160 [Yu. L. Bessonov, E. M. Dianov, V. P. Duraev, Yu. M. Kirik, A. V. Kuznetsov, A. M. Prokhorov, E. A. Shcherbakov, “Influence of the coherence length of a laser on the noise characteristics of frequency-modulated fiber-optic communication lines”, Sov J Quantum Electron, 18:10 (1988), 1356–1357 ] |
22. |
А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, “Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1552–1554 [A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, “Width and profile of the emission line of a cw InGaAsP/InP laser with a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 971–972 ] |
2
|
23. |
И. А. Авруцкий, В. И. Барышев, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, Т. В. Тулайкова, В. И. Швейкин, В. В. Шишков, “Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 15:4 (1988), 702–704 [I. A. Avrutskiǐ, V. I. Baryshev, V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. S. Svakhin, V. A. Sychugov, T. V. Tulaǐkova, V. I. Shveǐkin, V. V. Shishkov, “Radiation sources for fiber-optic communication lines with wavelength-division multiplexing of data channels in the range 1.3–1.6 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:4 (1988), 446–448 ] |
24. |
И. А. Авруцкий, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, A. М. Прохоров, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, А. В. Тищенко, “Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 569–574 [I. A. Avrutskiǐ, V. P. Duraev, E. T. Nedelin, A. M. Prokhorov, A. S. Svakhin, V. A. Sychugov, A. V. Tishchenko, “Optimization of the characteristics of a dispersive element based on a corrugated waveguide”, Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 362–365 ] |
5
|
25. |
Ю. В. Гуляев, В. П. Дураев, А. В. Мазур, С. К. Моршнев, А. С. Рябов, А. В. Францессон, “Асимметричный спектр излучения инжекционного лазера с внешней оптической обратной связью”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 247–252 [Yu. V. Gulyaev, V. P. Duraev, A. V. Mazur, S. K. Morshnev, A. S. Ryabov, A. V. Frantsesson, “Asymmetric emission spectrum of an injection laser with an external optical feedback”, Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 156–160 ] |
|
1987 |
26. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, “Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные
испытания лазеров на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 57:8 (1987), 1570–1574 |
27. |
И. А. Авруцкий, В. П. Дураев, Е. Т. Неделин, A. М. Прохоров, А. С. Свахин, В. А. Сычугов, “Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором”, Письма в ЖТФ, 13:14 (1987), 849–854 |
28. |
В. Ю. Баженов, М. И. Беловолов, Е. М. Дианов, В. П. Дураев, А. П. Крюков, В. X. Пенчева, В. Б. Тараненко, В. И. Швейкин, “Исследование перестроечных характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров с высоким спектральным разрешением”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 718–723 |
29. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, E. T. Nedelin, V. I. Shveǐkin, “Low-threshold InGaAsP/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403 ] |
30. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|
1986 |
31. |
Д. Ахмедов, В. П. Дураев, Е. В. Голикова, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:1 (1986), 170–171 [D. Akhmedov, V. P. Duraev, E. V. Golikova, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Continuous-wave InGaAsP/InP injection lasers emitting short wavelengths”, Sov J Quantum Electron, 16:1 (1986), 108–109 ] |
|
1984 |
32. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
|
1983 |
33. |
Е. Г. Голикова, А. А. Гвоздев, В. П. Дураев, Н. В. Малькова, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, М. А. Сумароков, А. А. Шелякин, “Сверхлюминесцентные излучатели на основе гетероструктур
GaInAsP$-$InP с длиной волны излучения
1.3$-$1.55 мкм”, ЖТФ, 53:11 (1983), 2286–2288 |
34. |
М. Г. Васильев, А. А. Гвоздев, А. Т. Гореленок, Ю. В. Гуляев, В. Ф. Дворянкин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, В. В. Кожин, Е. Т. Неделин, Г. А. Синицина, И. С. Тарасов, А. А. Телегин, А. С. Усиков, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе
InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией”, ЖТФ, 53:7 (1983), 1413–1414 |
35. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. С. Курленков, И. А. Скопин, “Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих
в диапазоне 1,2–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 10:3 (1983), 633–635 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. S. Kurlenkov, I. A. Skopin, “Optical fiber coupling of 1.2–1.6 μ radiation emitted from buried mesastripe injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 382–384 ] |
|
1982 |
36. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
37. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
|
1981 |
38. |
В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202 ] |
1
|
|
|
|
2018 |
39. |
О. Н. Крохин, Ю. В. Гуляев, А. С. Сигов, И. А. Щербаков, М. Г. Васильев, В. П. Дураев, А. Г. Забродский, Г. М. Зверев, И. Б. Ковш, Ю. А. Кротов, Е. В. Кузнецов, А. А. Мармалюк, Ю. М. Попов, А. С. Семенов, В. А. Симаков, “Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 290 [O. N. Krokhin, Yu. V. Gulyaev, A. S. Sigov, I. A. Shcherbakov, M. G. Vasil'ev, V. P. Duraev, A. G. Zabrodskii, G. M. Zverev, I. B. Kovsh, Yu. A. Krotov, E. V. Kuznetsov, A. A. Marmalyuk, Yu. M. Popov, A. S. Semenov, V. A. Simakov, “In memory of Vasilii Ivanovich Shveikin (4 February 1935 – 4 January 2018)”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 290 ] |
|