|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2196–2198
(Mi qe12609)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87
Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Аннотация:
Исследованы особенности генерации в условиях мезаполосковых РОС-лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры (ДГС) с раздельным электронным и оптическим ограничением. Дифракционная решетка с периодом Λ = 0,46 мкм, изготовленная на поверхности верхнего волноводного слоя методом голографической фотолитографии, обеспечивала РОС во втором порядке. Пороговый ток в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре равен 35–70 мА, температурный сдвиг длины волны генерации ~0,08 нм/K, коэффициент обратной связи, определенный по ширине брэгговской щели, составлял 110–150 см– 1.
Образец цитирования:
В. И. Барышев, Е. Г. Голикова, В. П. Дураев, В. И. Кучинский, К. Ю. Кижаев, Д. В. Куксенков, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2196–2198 [Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1376–1378]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12609 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i11/p2196
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 187 | PDF полного текста: | 68 | Первая страница: | 1 |
|