|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1384–1389   ; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499 |
| 2. |
П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 495–501 [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetricwaveguide single-mode lasers”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501   ] |
11
|
| 3. |
И. И. Засавицкий, Н. Ю. Ковбаса, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, Ю. В. Курнявко, П. В. Горлачук, А. Б. Крыса, Д. Г. Ревин, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:5 (2018), 472–475 [I. I. Zasavitskii, N. Yu. Kovbasa, N. A. Raspopov, A. V. Lobintsov, Yu. V. Kurnyavko, P. V. Gorlachuk, A. B. Krysa, D. G. Revin, “A GaInAs/AlInAs quantum cascade laser with an emission wavelength of 5.6 μm”, Quantum Electron., 48:5 (2018), 472–475 ] |
4
|
| 4. |
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200 ] |
13
|
|
2017 |
| 5. |
А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 272–274 [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274 ] |
25
|
|
2016 |
| 6. |
И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 447–450 [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450 ] |
4
|
|
2014 |
| 7. |
П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм”, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 149–156 [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Simulation of power – current characteristics of high-power semiconductor lasers emitting in the range 1.5 – 1.55 μm”, Quantum Electron., 44:2 (2014), 149–156 ] |
6
|
|
2013 |
| 8. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823 ] |
2
|
| 9. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821 ] |
2
|
| 10. |
Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013), 509–511 [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511 ] |
7
|
|
Обратная связь: