|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, “Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1409–1414   ; M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199  |
|
2020 |
| 2. |
Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 868–872 ; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, “Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1718–1720 ; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, “GaAs-based laser diode with InGaAs waveguide quantum wells”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711 |
3
|
|
2018 |
| 4. |
И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463 ; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 |
| 5. |
А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 390–394 [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  ] |
1
|
|
2017 |
| 6. |
Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1410–1413 ; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 |
1
|
| 7. |
С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, “Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 75–78 ; S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, “Effect of active-region “volume” on the radiative properties of laser heterostructures with radiation output through the substrate”, Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77 |
|
2015 |
| 8. |
Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015), 204–206 [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206 ] |
1
|
|
2014 |
| 9. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797 |
4
|
| 10. |
Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014), 286–288 [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288 ] |
1
|
|
2013 |
| 11. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 401–406 [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406 ] |
6
|
|
2012 |
| 12. |
С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 931–933 [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933 ] |
9
|
|
Обратная связь: