Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями

На основе комплексной модели, учитывающей диффузию и дрейф носителей заряда, процессы захвата электронов и дырок на уровни квантовых ям (КЯ), пространственное распределение излучения в резонаторе, эффекты внутризонного поглощения и нагрева активной области, проведен расчет мощностных характеристик лазеров с волноводом на КЯ. Предложены структуры с дополнительными блокирующими легированными барьерными слоями, позволяющими снизить токи утечки до единиц процентов. В лазере на основе квантоворазмерной гетероструктуры GaInAs/GaAs (апертура 100 мкм) с волноводом на КЯ и легированным блокирующим слоем GaAsP расчетная средняя мощность генерации в импульсном режиме составила 29 Вт при импульсах тока 80 А длительностью 5 мкс.