|
Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 5, страницы 401–406
(Mi qe15144)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Полупроводниковые лазеры. Физика и технология
Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
В. Я. Алешкинa, Н. В. Дикареваb, А. А. Дубиновa, Б. Н. Звонковb, М. В. Карзановаb, К. Е. Кудрявцевa, С. М. Некоркинb, А. Н. Яблонскийa a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Теоретически и экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в полупроводниковых лазерах на основе GaAs и InP. Показана возможность эффективного использования такого типа волновода для лазерных структур с большой разностью показателей преломления материалов квантовой ямы и полупроводниковой матрицы и большим числом квантовых ям (например, для структур на основе InP).
Ключевые слова:
полупроводниковый лазер, квантовая яма, волноводный эффект.
Поступила в редакцию: 08.02.2013 Исправленный вариант: 27.03.2013
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 401–406 [Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe15144 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i5/p401
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 364 | PDF полного текста: | 240 | Список литературы: | 43 | Первая страница: | 5 |
|