Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью

Изготовлены полупроводниковые лазеры с узкой (~2°) диаграммой направленности как в плоскости p–n-перехода, так и перпендикулярно ей. Для достижения малой расходимости излучения в плоскости p–n-перехода активная область лазера в ней была изготовлена в виде трапеции. Узкая диаграмма направленности в плоскости, перпендикулярной p–n-переходу, обеспечивалась использованием вытекающей моды, через которую выходило более 90% мощности излучения лазера.