Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1410–1413
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45022.8580 (Mi phts6027) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

Н. В. Дикареваa, Б. Н. Звонковa, О. В. Вихроваa, С. М. Некоркинa, В. Я. Алешкинab, А. А. Дубиновab

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45022.8580
Аннотация: Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа.
Поступила в редакцию: 14.03.2017
Принята в печать: 20.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1360–1363
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100086
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1410–1413; Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DikZvoVik17}
\by Н.~В.~Дикарева, Б.~Н.~Звонков, О.~В.~Вихрова, С.~М.~Некоркин, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов
\paper Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1410--1413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6027}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45022.8580}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291333}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1360--1363
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100086}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6027
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1410
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024