|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Селективное усиление фототока дырок поверхностными плазмон-поляритонами в слоях квантовых точек Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 105:7 (2017), 419–423   ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 105:7 (2017), 426–429   |
1
|
|
2016 |
| 2. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 507–511 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Enhancement of the hole photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots with abrupt heterointerfaces”, JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015), 678–682 ; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598 |
7
|
| 4. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015), 846–850 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753 |
9
|
|
2004 |
| 5. |
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415 ; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336 |
5
|
|
Обратная связь: