|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021), 33–40   ; V. A. Shvets, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Investigation of the temperature dependence of the spectra of optical constants of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te films grown using molecular beam epitaxy”, Optics and Spectroscopy, 129:1 (2021), 29–36 |
| 2. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1240–1247 |
| 3. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192 |
|
2020 |
| 4. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, В. Г. Ремесник, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1815–1820 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, V. G. Remesnik, I. A. Azarov, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Parametric model of the optical constant spectra of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te and determination of the compound composition”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1948–1953 |
4
|
| 5. |
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 14–17 ; D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “The effect of the growth temperature on the passivating properties of the Al$_{2}$O$_{3}$ films formed by atomic layer deposition on the CdHgTe surface”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 741–744 |
7
|
|
2019 |
| 6. |
В. А. Швец, И. А. Азаров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 137–142 ; V. A. Shvets, I. A. Azarov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Ellipsometric method for measuring the CdTe buffer-layer temperature in the molecular-beam epitaxy of CdHgTe”, Semiconductors, 53:1 (2019), 132–137 |
5
|
|
2016 |
| 7. |
В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 625–629 ; V. S. Varavin, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “Electrophysical properties of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3) films grown by molecular beam epitaxy on Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 641–646 |
1
|
| 8. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
| 9. |
К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 208–211 ; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 |
6
|
|
2012 |
| 10. |
D. V. Marin, V. A. Volodin, H. Rinnert, M. Vergnat, “Anomalous temperature dependence of photoluminescence in
GeO$_{x}$”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 472–476   ; JETP Letters, 95:8 (2012), 424–428 |
9
|
|
2009 |
| 11. |
V. A. Volodin, E. V. Gorokhov, D. V. Marin, H. Rinnert, P. Miska, M. Vergnat, “Quasi-direct optical transitions in Ge nanocrystals embedded in GeO$_2$ matrix”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 84–88 ; JETP Letters, 89:2 (2009), 76–79 |
6
|
|
2004 |
| 12. |
М. Д. Ефремов, В. А. Володин, Д. В. Марин, С. А. Аржанникова, С. В. Горяйнов, А. И. Корчагин, В. В. Черепков, А. В. Лаврухин, С. Н. Фадеев, Р. А. Салимов, С. П. Бардаханов, “Видимая фотолюминесценция нанопорошков кремния, созданных испарением кремния мощным электронным пучком”, Письма в ЖЭТФ, 80:8 (2004), 619–622 ; M. D. Efremov, V. A. Volodin, D. V. Marin, S. A. Arzhannikova, S. V. Goryainov, A. I. Korchagin, V. V. Cherepkov, A. V. Lavrukhin, S. N. Fadeev, R. A. Salimov, S. P. Bardakhanov, “Visible photoluminescence from silicon nanopowders produced by silicon evaporation in a high-power electron beam”, JETP Letters, 80:8 (2004), 544–547 |
22
|
|
2003 |
| 13. |
В. А. Володин, Е. Б. Горохов, М. Д. Ефремов, Д. В. Марин, Д. А. Орехов, “Фотолюминесценция в пленках GeO2, содержащих нанокристаллы германия”, Письма в ЖЭТФ, 77:8 (2003), 485–488 ; V. A. Volodin, Y. B. Gorokhov, M. D. Efremov, D. V. Marin, D. A. Orekhov, “Photoluminescence of GeO$_2$ films containing germanium nanocrystals”, JETP Letters, 77:8 (2003), 411–414 |
17
|
|
Обратная связь: