Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах

Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом $C$–$V$-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды $p^{+}$–$n$-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1–5) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у $n^{+}$–$p$-диодов.