|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1652–1656
(Mi phts6288)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Приведены результаты исследования параметров многослойных гетероструктур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te для фотоприемников диапазона длин волн до пяти микрометров, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках. Методом $C$–$V$-характеристик исследованы пассивирующие свойства тонких слоев CdTe на поверхности таких структур. Исследованы температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в фотопоглощающем слое после роста и после отжигов. Фотодиоды $p^{+}$–$n$-типа были изготовлены ионной имплантацией мышьяка в слои n-типа проводимости, легированные In с концентрацией (1–5) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$. Измерены температурные зависимости обратных токов при нескольких напряжениях смещения, которые оказались почти на 2 порядка меньше, чем у $n^{+}$–$p$-диодов.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656; Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6288 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1652
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 18 |
|