Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe

Экспериментально исследованы электрофизические свойства границы раздела пассивирующего покрытия Al$_{2}$O$_{3}$, выращенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения при различных температурах, и $p$-CdHgTe ($x_{\mathrm{CdTe}}$ = 0.22), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, посредством измерения вольт-фарадных характеристик МДП-структур. Установлено, что при температуре выращивания Al$_{2}$O$_{3}$, равной 200$^\circ$C, в CdHgTe из-за диссоциации увеличивается концентрация акцепторов, а при температуре 80$^\circ$C увеличивается разброс емкости диэлектрика и встроенного заряда. Оптимальная температура роста пассивирующего покрытия Al$_{2}$O$_{3}$ на CdHgTe лежит в диапазоне 120–160$^\circ$C.