|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Экспериментально исследованы электрофизические свойства границы раздела пассивирующего покрытия Al$_{2}$O$_{3}$, выращенного методом плазменно-индуцированного атомно-слоевого осаждения при различных температурах, и $p$-CdHgTe ($x_{\mathrm{CdTe}}$ = 0.22), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, посредством измерения вольт-фарадных характеристик МДП-структур. Установлено, что при температуре выращивания Al$_{2}$O$_{3}$, равной 200$^\circ$C, в CdHgTe из-за диссоциации увеличивается концентрация акцепторов, а при температуре 80$^\circ$C увеличивается разброс емкости диэлектрика и встроенного заряда. Оптимальная температура роста пассивирующего покрытия Al$_{2}$O$_{3}$ на CdHgTe лежит в диапазоне 120–160$^\circ$C.
Ключевые слова:
CdHgTe, Al$_{2}$O$_{3}$, атомно-слоевое осаждение, вольт-фарадные характеристики, пассивирующее покрытие.
Поступила в редакцию: 20.04.2020 Исправленный вариант: 20.04.2020 Принята в печать: 22.04.2020
Образец цитирования:
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 14–17; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 741–744
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5029 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i15/p14
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 29 |
|