|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 4, страницы 625–629
(Mi ftt10000)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)
В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследованы электрофизические свойства нелегированных и легированных индием в процессе роста пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с $x\approx$ 0.3. После выращивания пленки подвергались температурным обработкам в парах ртути. Магнетополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне магнитных полей 0.05–1.0 T при 77 K объясняются наличием в пленках двух типов электронов: с высокой и низкой подвижностями. Температурные зависимости времени жизни неосновных носителей в интервале 77–300 K указывают на присутствие в пленках после роста ловушек двух типов, имеющих разное энергетическое положение. Отжиг при насыщенном давлении паров ртути увеличивает время жизни за счет подавления рекомбинационных центров, которые могут быть связаны с ростовыми дефектами в гетероструктурах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te/CdTe/Si.
Поступила в редакцию: 22.07.2015
Образец цитирования:
В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 625–629; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 641–646
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10000 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i4/p625
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 19 | PDF полного текста: | 10 |
|