|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. Г. Петров, “Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019), 821–825   ; A. O. Zakhar'in, A. V. Andrianov, A. G. Petrov, “Stimulated terahertz emission in a system of excitons in photoexcited silicon”, JETP Letters, 109:12 (2019), 781–785   |
2
|
|
2018 |
| 2. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Внутриэкситонное и внутрицентровое терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении легированного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018), 564–568 ; A. V. Andrianov, A. O. Zakhar'in, A. G. Petrov, “Intraexciton and intracenter terahertz radiation from doped silicon under interband photoexcitation”, JETP Letters, 107:9 (2018), 540–543 |
2
|
|
2017 |
| 3. |
А. О. Захарьин, Ю. Б. Васильев, Н. А. Соболев, В. В. Забродский, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636 ; A. O. Zahar'in, Yu. B. Vasil'ev, N. A. Sobolev, V. V. Zabrodskii, S. V. Egorov, A. V. Andrianov, “Injection-induced terahertz electroluminescence from silicon $p$–$n$ structures”, Semiconductors, 51:5 (2017), 604–607 |
1
|
|
2016 |
| 4. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 |
2
|
| 5. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033 |
|
2014 |
| 6. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775 |
6
|
|
2011 |
| 7. |
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396 ; V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz radiation induced by the Wannier-Stark localization of electrons in a natural silicon carbide superlattice”, JETP Letters, 94:5 (2011), 362–365 |
10
|
|
2010 |
| 8. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа, “Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников”, Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, Yu. L. Ivanov, M. S. Kipa, “Terahertz impurity luminescence under the interband photoexcitation of semiconductors”, JETP Letters, 91:2 (2010), 96–99 |
38
|
|
2006 |
| 9. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, И. Н. Яссиевич, “Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 410–413 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, “Linearly polarized terahertz radiation in uniaxially deformed Ge(Ga) upon the electric breakdown of an impurity”, JETP Letters, 83:8 (2006), 351–354 |
6
|
|
2004 |
| 10. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, И. Н. Яссиевич, Н. Н. Зиновьев, “Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 448–451 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, N. N. Zinov'ev, “Terahertz electroluminescence under conditions of shallow acceptor breakdown in germanium”, JETP Letters, 79:8 (2004), 365–367 |
49
|
|
Обратная связь: