Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 2, страницы 102–105 (Mi jetpl636)  

Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников

А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Список литературы:
Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников ($n$-GaAs и $p$-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0.1%.
Поступила в редакцию: 01.12.2009
Исправленный вариант: 18.12.2009
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 91, Issue 2, Pages 96–99
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010020098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа, “Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников”, Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105; JETP Letters, 91:2 (2010), 96–99
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndZahIva10}
\by А.~В.~Андрианов, А.~О.~Захарьин, Ю.~Л.~Иванов, М.~С.~Кипа
\paper Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 2
\pages 102--105
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl636}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 2
\pages 96--99
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010020098}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000275955800009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77952041006}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl636
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i2/p102
  • Эта публикация цитируется в следующих 40 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:406
    PDF полного текста:137
    Список литературы:47
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024