|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 2, страницы 102–105
(Mi jetpl636)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Аннотация:
Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников ($n$-GaAs и $p$-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0.1%.
Поступила в редакцию: 01.12.2009 Исправленный вариант: 18.12.2009
Образец цитирования:
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа, “Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников”, Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105; JETP Letters, 91:2 (2010), 96–99
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl636 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i2/p102
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 406 | PDF полного текста: | 137 | Список литературы: | 47 |
|