Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2019, том 109, выпуск 12, страницы 821–825
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19120038 (Mi jetpl5930) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния

А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. Г. Петров

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
PDF полного текста (322 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19120038
Аннотация: Обнаружено стимулированное терагерцовое излучение, обусловленное инверсией населенности между экситонными состояниями в кристаллах кремния при интенсивном межзонном фотовозбуждении. Спектр терагерцового усиления демонстрирует линии при 13.7 и 15.5 мэВ, значение коэффициента усиления на которых достигает 0.5 и 1 см$^{-1}$, соответственно. Линия при 13.7 мэВ обусловлена инверсией населенности между высоковозбужденными состояниями и основным состоянием свободных экситонов. Линию при 15.5 мэВ можно связать с инверсией населенности между двухэкситонным и биэкситонным состояниями. Значения коэффициента терагерцового усиления позволяет рассчитывать на возможность создания нового типа терагерцового лазера на переходах между состояниями свободных экситонов в кремнии в условиях межзонного фотовозбуждения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00002_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект # 18-02-00002), а также при частичной поддержке специальной программы Президиума РАН “ТГц оптоэлектроника и спинтроника”.
Поступила в редакцию: 26.04.2019
Исправленный вариант: 26.04.2019
Принята в печать: 07.05.2019
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, Volume 109, Issue 12, Pages 781–785
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364019120117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. Г. Петров, “Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019), 821–825; JETP Letters, 109:12 (2019), 781–785
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZahAndPet19}
\by А.~О.~Захарьин, А.~В.~Андрианов, А.~Г.~Петров
\paper Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 109
\issue 12
\pages 821--825
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5930}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19120038}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37658292}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 109
\issue 12
\pages 781--785
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019120117}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000483723500003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85071339727}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5930
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v109/i12/p821
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024