|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 5, страницы 393–396
(Mi jetpl2011)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
Сообщается об обнаружении интенсивной терагерцовой электролюминесценции в SiC\d
структурах с минизонным характером электронного спектра, обусловленным
естественной сверхрешеткой. Форма линии терагерцового излучения, линейная
зависимость положения ее максимума от напряжения смещения, характерное значение
напряженности поля, требуемого для достижения излучения, а кроме того,
преимущественная поляризация излучения вдоль оси сверхрешетки свидетельствуют о
том, что обнаруженное излучение возникает в результате возбуждения стационарных
блоховских осцилляций электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния.
Поступила в редакцию: 30.06.2011
Образец цитирования:
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396; JETP Letters, 94:5 (2011), 362–365
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2011 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i5/p393
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 268 | PDF полного текста: | 81 | Список литературы: | 45 |
|