Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 932–936 (Mi phts6415)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон

Ю. Б. Васильевa, Н. Н. Михайловbc, Г. Ю. Васильеваad, Ю. Л. Ивановa, А. О. Захарьинa, А. В. Андриановa, Л. Е. Воробьевd, Д. А. Фирсовd, М. Н. Григорьевe, А. В. Антоновf, А. В. Иконниковf, В. И. Гавриленкоf

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Новосибирский государственный университет
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Балтийский государственный технический университет "Военмех" им. Д. Ф. Устинова, г. Санкт-Петербург
f Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (226 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Экспериментально обнаружена и исследована терагерцовая электролюминесценция из квантовых ям Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te/HgTe с инвертированной зонной структурой при приложении электрического поля вдоль плоскости ям. Максимум спектра излучения в ямах шириной 6.5 и 7 нм находится вблизи энергии 6 мэВ, что соответствует межзонным оптическим переходам. Возникновение излучения объясняется опустошением состояний в валентной зоне и заполнением зоны проводимости за счет зинеровского туннелирования, что подтверждается вольт-амперными характеристиками, следующими степенному закону.
Поступила в редакцию: 16.12.2015
Принята в печать: 23.12.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 915–919
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070253
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936; Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasMikVas16}
\by Ю.~Б.~Васильев, Н.~Н.~Михайлов, Г.~Ю.~Васильева, Ю.~Л.~Иванов, А.~О.~Захарьин, А.~В.~Андрианов, Л.~Е.~Воробьев, Д.~А.~Фирсов, М.~Н.~Григорьев, А.~В.~Антонов, А.~В.~Иконников, В.~И.~Гавриленко
\paper Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 932--936
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6415}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368938}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 915--919
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070253}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6415
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p932
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024