|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Видимое излучение плотного биэкситонного газа в SiGe/Si квантовых ямах в условиях внешней анизотропной деформации”, Письма в ЖЭТФ, 107:6 (2018), 371–377   ; S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Visible emission from a dense biexciton gas in SiGe/Si quantum wells under external anisotropic strain”, JETP Letters, 107:6 (2018), 358–363   |
|
2017 |
| 2. |
Д. Ф. Аминев, А. Ю. Клоков, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, А. И. Шарков, Н. Н. Сибельдин, “Нагрев и испарение двумерной электронно-дырочной жидкости под действием тепловых импульсов”, Письма в ЖЭТФ, 105:3 (2017), 164–169 ; D. F. Aminev, A. Yu. Klokov, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, A. I. Sharkov, N. N. Sibeldin, “Heating and evaporation of a two-dimensional electron-hole liquid by heat pulses”, JETP Letters, 105:3 (2017), 179–184 |
2
|
|
2016 |
| 3. |
В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, В. С. Лебедев, М. Л. Скориков, Е. В. Уцина, М. В. Кочиев, “Плазмонное усиление интенсивности четырехчастичной излучательной рекомбинации в кремний-германиевых квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:4 (2016), 229–234 ; V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, V. S. Lebedev, M. L. Skorikov, E. V. Utsina, M. V. Kochiev, “Plasmonic enhancement of four-particle radiative recombination in SiGe quantum wells”, JETP Letters, 104:4 (2016), 231–235 |
3
|
| 4. |
С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, “Тонкая структура излучения двумерной электронно-дырочной жидкости в SiGe/Si квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 104:3 (2016), 161–166 ; S. N. Nikolaev, V. S. Krivobok, V. S. Bagaev, E. E. Onishchenko, A. V. Novikov, M. V. Shaleev, “Fine structure of the emission spectrum of a two-dimensional electron-hole liquid in SiGe/Si quantum wells”, JETP Letters, 104:3 (2016), 163–168 |
17
|
|
2011 |
| 5. |
В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, “Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011), 63–67 ; V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, E. E. Onishchenko, M. L. Skorikov, A. V. Novikov, D. N. Lobanov, “Condensation of excitons and the spectrum of multiparticle states in SiGe/Si quantum wells: The role of the barrier in the conduction band”, JETP Letters, 94:1 (2011), 63–67 |
30
|
|
2010 |
| 6. |
Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель, “Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 341–345 ; T. M. Burbaev, M. N. Gordeev, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, M. M. Rzaev, N. N. Sibel'din, M. L. Skorikov, V. A. Tsvetkov, D. V. Shepel', “Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures”, JETP Letters, 92:5 (2010), 305–309 |
20
|
|
2002 |
| 7. |
Е. И. Бережной, А. В. Новиков, “О проблеме окаймления из теории дифференцирования интегралов”, Изв. РАН. Сер. матем., 66:4 (2002), 3–26   ; E. I. Berezhnoi, A. V. Novikov, “The halo problem in the theory of differentiation of integrals”, Izv. Math., 66:4 (2002), 659–681 |
3
|
| 8. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369 |
24
|
|
2000 |
| 9. |
З. Ф. Красильник, А. В. Новиков, “Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> и Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub>”, УФН, 170:3 (2000), 338–341 ; Z. F. Krasil'nik, A. V. Novikov, “Optical properties of strained Si<sub>1–x</sub>Ge<sub>x</sub> and Si<sub>1–x–y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> heterostructures”, Phys. Usp., 43:3 (2000), 295–298 |
6
|
|
Обратная связь: