|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 1, страницы 63–67
(Mi jetpl1952)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si
В. С. Багаевa, В. С. Кривобокa, С. Н. Николаевa, Е. Е. Онищенкоa, М. Л. Скориковa, А. В. Новиковb, Д. Н. Лобановb a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами.
Поступила в редакцию: 11.05.2011
Образец цитирования:
В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов, “Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si”, Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011), 63–67; JETP Letters, 94:1 (2011), 63–67
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1952 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i1/p63
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 312 | PDF полного текста: | 91 | Список литературы: | 62 |
|