|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50  |
|
2020 |
| 2. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. А. Зайцев, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, “Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 877–884  ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 |
1
|
| 3. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. А. Зайцев, А. Н. Клочков, “Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1203–1210 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 |
3
|
|
2019 |
| 4. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 258–266 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 |
2
|
|
2018 |
| 5. |
С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, Н. В. Зенченко, “Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 586–590 ; S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, N. V. Zenchenko, “X-ray diffraction analysis of features of the crystal structure of GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N HEMT-heterostructures by the Williamson–Hall method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 734–738 |
3
|
| 6. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 395–401 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 |
7
|
|
2017 |
| 7. |
Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797 ; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765 |
| 8. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 |
17
|
| 9. |
Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330 ; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 |
15
|
|
2016 |
| 10. |
И. С. Васильевский, С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, А. Н. Виниченко, Д. В. Лаврухин, О. С. Коленцова, “Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573 ; I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 |
8
|
| 11. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 |
8
|
|
Обратная связь: