Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла

Показано, что аппроксимация пиков на кривых рентгеновского дифракционного отражения в режимах $\theta$/2$\theta$- и $\omega$-сканирования точнее всего может быть выполнена инверсным полиномом четвeртой степени или функцией плотности вероятности при распределении Стьюдента. Эти функции хорошо описывают не только центральную, наиболее интенсивную часть экспериментального пика, но также и его малоинтенсивное расширенное основание, обусловленное диффузным рассеянием. С помощью метода Вильямсона–Холла определены средняя микродеформация varepsilon и средний вертикальный размер области когерентного рассеяния $D$ для слоeв GaN ($\varepsilon\approx$ 0.00006, $D\approx$ 200 нм) и Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N ($\varepsilon$ = 0.0032 $\pm$ 0.0005, $D$ = 24 $\pm$ 7 нм). Значение $D$, полученное для слоя Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N, обусловлено, скорее всего, толщиной слоя Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N, которая номинально составляет 11 нм.